MRF8P9300HR6 MRF8P9300HSR6
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 2400 mA, 920--960 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
326
?
W
IMD Symmetry @ 310 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
17
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
30
?
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout
= 100 W Avg.
GF
?
0.16
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.012
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.008
?
dBm/°C
Typical Broadband Performance ? 880 MHz
(In Freescale 880 MHz Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 2400 mA, Pout
=
100 W Avg., Single--Carrier W--CDMA, IQ
Magnitude Clipping, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF. ACPR measured in
3.84 MHz Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Frequency
Gps
(dB)
ηD
(%)
Output PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
IRL
(dB)
865 MHz
20.5
35.2
6.0
--36.1
-- 11
880 MHz
20.7
36.0
6.0
--36.1
-- 1 4
895 MHz
20.6
37.0
6.0
--35.8
-- 1 6
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